2N7002T-7-F 엔-채널 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) 표면 부착 SOT-523

원래 장소 미국
브랜드 이름 Diodes Incorporated
인증 RoHS
모델 번호 2N7002T-7-F
최소 주문 수량 3000
가격 negotiations
포장 세부 사항 테이프 릴 (TR)
배달 시간 5-8 작업 일수
지불 조건 전신환
공급 능력 15000

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제품 상세 정보
모델 2N7002T-7-F FET 유형 N채널
드레인-소스 전압(Vdss) 60V 드라이브 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐) 5V, 10V
Rds On(최대) @ Id, Vgs 7.5옴 @ 50mA, 5V 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds 50pF @ 25V
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제품 설명

2N7002T-7-F 엔-채널 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) 표면 부착 SOT-523

기술과 애플리케이션

이 새로운 세대 MOSFET은 상태에 저항 (RDS(ON))를 최소화하도록 설계되었습니다 그리고 아직 그것을 고효율 전력 관리 어플리케이션에 이상적이게 하면서, 뛰어난 접속품질을 유지하세요.

직류-직류 변환기

전력 관리 기능

배터리 동작 시스템과 전자식 릴레이

드라이버 : 중계기, 솔레노이드, 램프, 망치, 디스플레이, 메모리, 트랜지스터, 기타 등등.

 

특징

낮은 온 저항

낮은 게이트 문턱 전압

저입력 캐패시턴스

고속 스위칭 속도

낮은 입출력 누출

극소형 표면 실장 패키지

완전히 무연 & 완전히 순응한 로에스

자유로운 할로겐과 안티몬. 녹색 장치

특정 변화 통제가 자동차 애플리케이션을 위해 요구합니다

 

기계적 데이터

경우 : SOT523

케이스 소재 : 플라스틱 성형. 녹색 몰딩 화합물. 94V-0을 평가하는 UL 인화성 분류

습기 민감성 : J-STD-020 당 레벨 1

단말기 : 광택이 없는 주석 증량은 불순물 42 위에서 리드프레임 (무료 도금을 이끄세요) 단련했습니다. MIL-STD-202마다 솔더링 가능하, 방법 208

단말 접속 : 다이어그램을 보세요

중량 : 0.002 그램 (대략적)

 

2N7002T-7-F의 상술

범주
분리된 반도체 제품
트랜지스터 - 페트스, 모스페트스는 - 단타를 날립니다
엠에프르
다이오드는 결합했습니다
시리즈
-
FET은 타이핑합니다
엔-채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
60 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
115mA (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
5V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
50mA, 5V에 있는 7.5Ohm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
250uA에 있는 2V
브그스 (맥스)
±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
25 V에 있는 50 pF
FET 특징
-
전력 소모 (맥스)
150mW (Ta)
작동 온도
-55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입
표면 부착
공급자 소자 패키지
SOT-523
패키지 / 건
SOT-523

 

원형

 

우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.

 

프라이스

 

우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.

 

거래

 

통신과 합의 뒤에, 우리는 지불을 배열하기 위해 당신을 안내할 것입니다.

 

배달 주기

 

같은 날에 배달이 5-12 근무일 일반적으로 조금 유행 동안 연기될 수 있습니다, 우리가 전체 과정을 뒤따를 것입니다.

 

수송

 

우리는 당신의 국가에 따라 적절한 운송 모드를 선택할 것입니다.

 

패키징

 

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