ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ชื่อผู้ติดต่อ :
Shen
หมายเลขโทรศัพท์ :
+0086 15112667855
วอทส์แอพ :
+8615112667855
2N7002T-7-F N-Channel 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-523
| สถานที่กำเนิด | สหรัฐอเมริกา |
|---|---|
| ชื่อแบรนด์ | Diodes Incorporated |
| ได้รับการรับรอง | RoHS |
| หมายเลขรุ่น | 2N7002T-7-F |
| จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ | 3000 |
| ราคา | negotiations |
| รายละเอียดการบรรจุ | ม้วนเทป (TR) |
| เวลาการส่งมอบ | 5-8 วันทำการ |
| เงื่อนไขการชำระเงิน | ที/ที |
| สามารถในการผลิต | 15000 |
ติดต่อฉันสำหรับตัวอย่างฟรีและคูปอง
วอทส์แอพ:0086 18588475571
วีแชท: 0086 18588475571
สไกป์: sales10@aixton.com
หากคุณมีข้อสงสัย เราพร้อมให้ความช่วยเหลือทางออนไลน์ตลอด 24 ชั่วโมง
xรายละเอียดสินค้า
| แบบอย่าง | 2N7002T-7-F | ประเภท FET | N-ช่อง |
|---|---|---|---|
| ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) | 60 โวลต์ | แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds) | 5V, 10V |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 7.5โอห์ม @ 50mA, 5V | ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 50 pF @ 25 โวลต์ |
รายละเอียดสินค้า
2N7002T-7-F N-Channel 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SOT-523
คำอธิบายและการใช้งาน
MOSFET รุ่นใหม่นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อลดความต้านทานต่อสถานะ (RDS(ON)) และยังคงรักษาประสิทธิภาพการสลับที่เหนือกว่า ทำให้เหมาะสำหรับการใช้งานการจัดการพลังงานที่มีประสิทธิภาพสูง
ตัวแปลง DC-DC
ฟังก์ชันการจัดการพลังงาน
ระบบปฏิบัติการแบตเตอรี่และโซลิดสเตตรีเลย์
ไดรเวอร์: รีเลย์ โซลินอยด์ หลอดไฟ แฮมเมอร์ จอแสดงผล หน่วยความจำ ทรานซิสเตอร์ ฯลฯ
คุณสมบัติ
ความต้านทานต่ำ
แรงดันธรณีประตูต่ำ
ความจุอินพุตต่ำ
ความเร็วในการสลับที่รวดเร็ว
การรั่วไหลของอินพุต/เอาต์พุตต่ำ
แพ็คเกจ Surface Mount ขนาดเล็กพิเศษ
ปราศจากสารตะกั่วและเป็นไปตาม RoHS อย่างสมบูรณ์
ปราศจากฮาโลเจนและแอนติโมนีอุปกรณ์ "สีเขียว"
สำหรับการใช้งานยานยนต์ที่ต้องการการควบคุมการเปลี่ยนแปลงเฉพาะ
ข้อมูลเชิงกล
กรณี: SOT523
วัสดุตัวเรือน: พลาสติกขึ้นรูปสารประกอบการขึ้นรูป "สีเขียว"การจำแนกประเภทความไวไฟ UL 94V-0
ความไวต่อความชื้น: ระดับ 1 ต่อ J-STD-020
ขั้วต่อ: ผิวด้านดีบุกอบอ่อนบนโครงตะกั่วอัลลอยด์ 42 (ชุบแบบไร้สารตะกั่ว)บัดกรีได้ตาม MIL-STD-202, วิธีที่ 208
การเชื่อมต่อเทอร์มินัล: ดูไดอะแกรม
น้ำหนัก: 0.002 กรัม (โดยประมาณ)
ข้อมูลจำเพาะของ 2N7002T-7-F
|
หมวดหมู่
|
ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว
|
|
ผศ
|
รวมไดโอด
|
|
ชุด
|
-
|
|
ประเภท FET
|
N-ช่อง
|
|
เทคโนโลยี
|
MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ)
|
|
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss)
|
60 โวลต์
|
|
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C
|
115mA (แท)
|
|
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds)
|
5V, 10V
|
|
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs
|
7.5โอห์ม @ 50mA, 5V
|
|
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส
|
2V @ 250µA
|
|
Vgs (สูงสุด)
|
±20V
|
|
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
|
50 pF @ 25 โวลต์
|
|
คุณสมบัติ FET
|
-
|
|
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
|
150mW (แท)
|
|
อุณหภูมิในการทำงาน
|
-55°C ~ 150°C (TJ)
|
|
ประเภทการติดตั้ง
|
พื้นผิวติด
|
|
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์
|
สทศ-523
|
|
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
|
สทศ-523
|
ต้นฉบับ
บริษัทของเรารับประกันว่าผลิตภัณฑ์แต่ละชุดมาจากโรงงานดั้งเดิม และสามารถจัดทำฉลากต้นฉบับและรายงานจากหน่วยงานทดสอบระดับมืออาชีพได้
ราคา
เรามีช่องทางการเสนอราคาที่หลากหลายและลงนามในสัญญาการสั่งซื้อหลังจากการเจรจา
ธุรกรรม
หลังจากการสื่อสารและข้อตกลง เราจะแนะนำคุณเพื่อจัดเตรียมการชำระเงิน
รอบการจัดส่ง
จัดส่งในวันเดียวกัน โดยทั่วไป 5-12 วันทำการ อาจล่าช้าเล็กน้อยระหว่างการแพร่ระบาด เราจะติดตามกระบวนการทั้งหมด
ขนส่ง
เราจะเลือกโหมดการขนส่งที่เหมาะสมตามประเทศของคุณ
บรรจุภัณฑ์
หลังจากสื่อสารกับคุณ เราจะเลือกวิธีการบรรจุหีบห่อที่เหมาะสมตามน้ำหนักของสินค้าเพื่อให้แน่ใจว่ามีการจัดส่งสินค้าอย่างปลอดภัย
แนะนำผลิตภัณฑ์
