2N7002T-7-F Berg SOT-523 des N-Kanal-60 V 115mA (Ta) der Oberflächen-150mW (Ta)

Herkunftsort USA
Markenname Diodes Incorporated
Zertifizierung RoHS
Modellnummer 2N7002T-7-F
Min Bestellmenge 3000
Preis negotiations
Verpackung Informationen Bandspule (TR)
Lieferzeit 5-8 Arbeitstage
Zahlungsbedingungen T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit 15000

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Produktdetails
Modell 2N7002T-7-F FET-Typ N-Kanal
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 7,5 Ohm bei 50 mA, 5 V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF bei 25 V
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Produkt-Beschreibung

2N7002T-7-F Berg SOT-523 des N-Kanal-60 V 115mA (Ta) der Oberflächen-150mW (Ta)

Beschreibung und Anwendungen

Dieser MOSFET der neuen Generation ist entworfen worden, um den onstate Widerstand (RDS (AN)) herabzusetzen und doch die überlegene zugeschaltete Leistung, ihn ideal machend beibehalten für Energiemanagementanwendungen der hohen Leistungsfähigkeit.

 DC-DC Konverter

 treiben Management-Funktionen an

 batteriebetriebene Systeme und Halbleiterrelais

 Fahrer: Relais, Solenoide, Lampen, Hämmer, Anzeigen, Gedächtnisse, Transistoren, etc.

 

Eigenschaften

 niedriger Auf-Widerstand

 niedrige Tor-Schwellen-Spannung

 niedrige eingegebene Kapazitanz

 schnelle Schaltverzögerung

 niedriges Input/Output Durchsickern

 Ultra-kleines Oberflächenberg-Paket

 total bleifrei u. völlig RoHS konform

 Halogen und Antimon frei. „Grünes“ Gerät

 für die Automobilanwendungen, die spezifische Änderungssteuerung erfordern

 

Mechanische Daten

 Fall: SOT523

 Fall-Material: Geformter Plastik. „Grünes“ Gestaltungsmittel. UL-Entflammbarkeits-Klassifikation, die 94V-0 veranschlagt

 Feuchtigkeits-Empfindlichkeit: Gerade 1 pro J-STD-020

 Anschlüsse: Matte Tin Finish Annealed über Legierung 42 Leadframe (bleifreier Überzug). Solderable pro MIL-STD-202, Methode 208

 Terminalverbindungen: Sehen Sie Diagramm

 Gewicht: 0,002 Gramm (ungefähr)

 

Spezifikation von 2N7002T-7-F

Kategorie
Getrennte Halbleiter-Produkte
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Mfr
Dioden enthalten
Reihe
-
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
60 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
115mA (Ta)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
2V @ 250µA
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
50 PF @ 25 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
150mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C | 150°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
SOT-523
Paket/Fall
SOT-523

 

VORLAGE

 

Unsere Firma garantiert, dass jede Reihe von Produkten von der ursprünglichen Fabrik kommt, und kann ursprüngliche Aufkleber und Berufsprüfungsagenturberichte zur Verfügung stellen.

 

PREIS

 

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