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2N7002T-7-F bâti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523
| Lieu d'origine | LES Etats-Unis |
|---|---|
| Nom de marque | Diodes Incorporated |
| Certification | RoHS |
| Numéro de modèle | 2N7002T-7-F |
| Quantité de commande min | 3000 |
| Prix | negotiations |
| Détails d'emballage | Bande magnétique (TR) |
| Délai de livraison | 5-8 jours de travail |
| Conditions de paiement | T/T |
| Capacité d'approvisionnement | 15000 |
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xDétails sur le produit
| Modèle | 2N7002T-7-F | Type FET | Canal N |
|---|---|---|---|
| Tension drain à source (Vdss) | 60V | Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7,5 ohms à 50 mA, 5 V | Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF à 25 V |
Description de produit
2N7002T-7-F bâti 150mW (merci) extérieur du N-canal 60 V 115mA (ventres) SOT-523
Description et applications
Ce transistor MOSFET de nouvelle génération a été conçu pour réduire au minimum la résistance d'onstate (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.
convertisseurs du DC-DC
le actionnent des fonctions de gestion
systèmes à piles de et relais à semi-conducteur
conducteurs de : Relais, solénoïdes, lampes, marteaux, affichages, souvenirs, transistors, etc.
Caractéristiques
basse Sur-résistance de
basse tension de seuil de porte de
basse capacité d'entrée de
vitesse de changement rapide de
basse fuite d'entrée-sortie de
Ultra-petit paquet extérieur de bâti de
totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme
halogène et antimoine de libres. Dispositif « vert »
pour des applications des véhicules à moteur exigeant le contrôle spécifique de changement
Données mécaniques
cas de : SOT523
matériel de cas de : Plastique moulé. Composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0
sensibilité d'humidité de : De niveau 1 par J-STD-020
terminaux de : Matte Tin Finish Annealed au-dessus d'alliage 42 Leadframe (électrodéposition sans plomb). Solderable par MIL-STD-202, méthode 208
connexions terminales de : Voir le diagramme
poids de : 0,002 grammes (d'approximatif)
spécifications de 2N7002T-7-F
|
Catégorie
|
Produits semiconducteurs discrets
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples
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Mfr
|
Diodes incorporées
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Série
|
-
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Type de FET
|
N-canal
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Technologie
|
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
|
60 V
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|
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
|
115mA (ventres)
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|
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
|
5V, 10V
|
|
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
|
7.5Ohm @ 50mA, 5V
|
|
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
|
2V @ 250µA
|
|
Vgs (maximum)
|
±20V
|
|
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
|
50 PF @ 25 V
|
|
Caractéristique de FET
|
-
|
|
Dissipation de puissance (maximum)
|
150mW (ventres)
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|
Température de fonctionnement
|
-55°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
|
Bâti extérieur
|
|
Paquet de dispositif de fournisseur
|
SOT-523
|
|
Paquet/cas
|
SOT-523
|
ORIGINAL
Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.
PRIX
Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.
TRANSACTION
Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.
CYCLE DE LIVRAISON
La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.
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