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IRS2181STRPBF 집적 회로 칩 하프 브리지 게이트 드라이버 IC 비 반전하는 8-soic
| 원래 장소 | 미국 |
|---|---|
| 브랜드 이름 | Infineon Technologies |
| 인증 | RoHS |
| 모델 번호 | IRS2181STRPBF |
| 최소 주문 수량 | 2500 |
| 가격 | negotiate |
| 포장 세부 사항 | 대부분 |
| 배달 시간 | 5-8 작업 일수 |
| 지불 조건 | 전신환 |
| 공급 능력 | 2500 |
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x제품 상세 정보
| 상품 이름 | IRS2181STRPBF | 논리 전압 - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
|---|---|---|---|
| 전류 - 피크 출력(소스, 싱크) | 1.9A, 2.3A | 하이 사이드 전압 - 최대(부트스트랩)\ | 600V |
| 전압 - 공급 | 10V ~ 20V | 패키지 / 건 | 8-SOIC(0.154", 폭 3.90mm) |
| 하이 라이트 | IRS2181STRPBF 집적 회로 칩,집적 회로는 비 반전하는 8-soic을 자릅니다,IRS2181STRPBF 하프 브리지 게이트 드라이버 IC |
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제품 설명
IRS2181STRPBF 하프-브리지 게이트 드라이버 IC 비반전 8-soic
기술
IRS2181/IRS21814는 고전압, 고속도 파워 모스펫이고 독립적 고전위측과 로우-측 언급된 다중과 IGBT 운전자들입니다. 독점 HVIC과 래치 면역 CMOS 기술은 울퉁불퉁한 단위 구성을 가능하게 합니다. 논리 입력은 3.3이지 Ｖ 논리아래로, 표준 cmos 또는 저전력 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 출력과 호환 가능합니다. 출력 드라이버는 최소 운전자들 교차 전도를 위해 설계된 펄스고전류 버퍼 스테지를 특징으로 합니다. 보동 채널은 최고 600까지 Ｖ를 운영하는 고전위측 구성에서 엔-채널 파워 모스펫 또는 IGBT를 운전하는데 사용될 수 있습니다.
특징
오우 보동 채널은 부트 스트랩 작동의 설계를 했습니다
+600 Ｖ에 완전히 사용가능한 오우
과도 전압, dV/dtimmune을 부정하도록 관대한 오우
10 Ｖ부터 20 Ｖ까지 오우 게이트 드라이브 공급 범위
양쪽 채널을 위한 오우 하측 전압 로크 아웃
오우 3.3 Ｖ와 5 Ｖ는 적합한 논리를 입력했습니다
양쪽 채널을 위한 오우 조화된 전달 지연
+/- 5 Ｖ가 오프셋시킨 오우 논리와 전력 접지
더 좋은 잡음 면역성을 위한 오우 낮은 직경 / dt 게이트 드라이버
오우 출력원 / 싱크 전류 역량 1.4 A/1.8 A
순응한 오우 로에스
IRS2181STRPBF의 상술
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범주
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집적 회로 (ICs)
전원관리 (PMIC)
게이트 드라이버
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엠에프르
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국제적인 정류기
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시리즈
|
-
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제품 상태
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활동가
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주도 구성
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하프-브리지
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채널형
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독립형
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운전자들의 번호
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2
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게이트 타입
|
IGBT, 엔-채널 MOSFET
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전압 - 공급
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10V ~ 20V
|
|
로직 전압 - VIL, VIH
|
0.8V, 2.5V
|
|
전류 - 피크 출력 (원천, 싱크)
|
1.9A, 2.3A
|
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입력 유형
|
비반전
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높은 쪽 전압 - 맥스 (띄우기)
|
600 Ｖ
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상승 / 강하 시간 (Typ)
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40 나노 초, 20 나노 초
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작동 온도
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-40' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ)
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증가하는 타입
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표면 부착
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패키지 / 건
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8 SOIC (0.154 ", 3.90 밀리미터 폭)
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공급자 소자 패키지
|
8-soic
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원형
우리의 회사는 제품의 각각 뱃치가 원래 공장에서 발생한다는 것을 보증하고, 원본 라벨과 전문적 검사 기관 보고서를 제공할 수 있습니다.
프라이스
우리는 협상 뒤에 다양한 인용 채널을 제공하고, 명령 계약을 맺습니다.
거래
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