CINA Supply Voltage Range 2.7 V - 3.6 V Integrated Circuit dengan kapasitas memori 4Mbit

Supply Voltage Range 2.7 V - 3.6 V Integrated Circuit dengan kapasitas memori 4Mbit

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
CINA Organisasi Memori Efisien 512K X 8 Sirkuit Terintegrasi dengan Waktu Siklus Tulis 50μs

Organisasi Memori Efisien 512K X 8 Sirkuit Terintegrasi dengan Waktu Siklus Tulis 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
CINA 50μs Waktu Siklus Tulis Sirkuit Terpadu 2,7V - 3,6V Tegangan - Pasokan

50μs Waktu Siklus Tulis Sirkuit Terpadu 2,7V - 3,6V Tegangan - Pasokan

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
CINA Sirkuit terintegrasi SOIC-8 yang efisien dengan penyimpanan data selama 20 tahun untuk kebutuhan industri

Sirkuit terintegrasi SOIC-8 yang efisien dengan penyimpanan data selama 20 tahun untuk kebutuhan industri

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
CINA NOR Flash Integrated Circuit 2.7V - 3.6V Tegangan - Sumber memori yang dapat diandalkan

NOR Flash Integrated Circuit 2.7V - 3.6V Tegangan - Sumber memori yang dapat diandalkan

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
CINA Sirkuit terpadu yang efisien dengan penyimpanan data selama 20 tahun - Tegangan pasokan minimum 2,7V

Sirkuit terpadu yang efisien dengan penyimpanan data selama 20 tahun - Tegangan pasokan minimum 2,7V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
CINA Tegangan pasokan - Min 2,7 V Sirkuit terpadu untuk solusi hemat energi

Tegangan pasokan - Min 2,7 V Sirkuit terpadu untuk solusi hemat energi

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO CINA 50μs Tulis Siklus Waktu Chip dengan Kecepatan 50ns

50μs Tulis Siklus Waktu Chip dengan Kecepatan 50ns

tipe produk: IC Memori Flash
Kecepatan: 50ns
Tipe Memori: NOR flash
VIDEO CINA Kapasitas memori 4Mbit 20 Tahun penyimpanan data 50ns Speed Chip

Kapasitas memori 4Mbit 20 Tahun penyimpanan data 50ns Speed Chip

Tipe Pemasangan: Permukaan gunung
Sumber tegangan: 2,7 V ~ 3,6 V
Tegangan Pasokan - Maks: 3,6 V
VIDEO CINA 50ns Kecepatan 512K X 8 Memori Organisasi 2.7V-3.6V Chip catu daya tegangan

50ns Kecepatan 512K X 8 Memori Organisasi 2.7V-3.6V Chip catu daya tegangan

Kemasan: Kumparan
Kapasitas memori: 4Mbit
Tulis Waktu Siklus - Kata: 50µs
1 2 3 4 5