CHINA Versorgungsspannungsbereich 2,7 V bis 3,6 V Integrierte Schaltung mit 4 Mbit Speicherkapazität

Versorgungsspannungsbereich 2,7 V bis 3,6 V Integrierte Schaltung mit 4 Mbit Speicherkapazität

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
CHINA Effiziente Speicherorganisation 512K X 8 integrierte Schaltung mit Schreibzykluszeit 50μs

Effiziente Speicherorganisation 512K X 8 integrierte Schaltung mit Schreibzykluszeit 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
CHINA 50 μs Schreibzykluszeit Integrierte Schaltung 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung

50 μs Schreibzykluszeit Integrierte Schaltung 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
CHINA Effiziente SOIC-8-Integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung für industrielle Zwecke

Effiziente SOIC-8-Integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung für industrielle Zwecke

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
CHINA NOR Flash-Integrierter Stromkreis 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung mit zuverlässigem Speicher

NOR Flash-Integrierter Stromkreis 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung mit zuverlässigem Speicher

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
CHINA Effiziente integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung - Min-Versorgungsspannung 2,7 V

Effiziente integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung - Min-Versorgungsspannung 2,7 V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
CHINA Versorgungsspannung - Min 2,7 V integrierte Schaltung für energieeffiziente Lösungen

Versorgungsspannung - Min 2,7 V integrierte Schaltung für energieeffiziente Lösungen

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO CHINA 50μs Schreibzykluszeit-Chip mit Geschwindigkeit von 50ns

50μs Schreibzykluszeit-Chip mit Geschwindigkeit von 50ns

Produkt-Art: Flash-Speicher IC
Geschwindigkeit: 50ns
Gedächtnisart: NOCH grell
VIDEO CHINA 4Mbit Speicherkapazität 20 Jahre Datenspeicherung 50ns Speed Chip

4Mbit Speicherkapazität 20 Jahre Datenspeicherung 50ns Speed Chip

Befestigung der Art: Oberflächenberg
Spannung - Versorgung: 2,7 V | 3,6 V
Versorgungs-Spannung - maximal: 3,6 V
VIDEO CHINA 50ns Geschwindigkeit 512K X 8 Speicherorganisation 2.7V-3.6V Spannungszufuhrchip

50ns Geschwindigkeit 512K X 8 Speicherorganisation 2.7V-3.6V Spannungszufuhrchip

Verpacken: Spule
Speicherkapazität: 4Mbit
Schreibzyklus-zeit- Wort: 50µs
1 2 3 4 5