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Versorgungsspannungsbereich 2,7 V bis 3,6 V Integrierte Schaltung mit 4 Mbit Speicherkapazität
Mounting Type: | Surface Mount |
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Memory Type: | NOR Flash |
Speed: | 50ns |
Effiziente Speicherorganisation 512K X 8 integrierte Schaltung mit Schreibzykluszeit 50μs
Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
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Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Packaging: | Reel |
50 μs Schreibzykluszeit Integrierte Schaltung 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung
Product Type: | Flash Memory IC |
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Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Effiziente SOIC-8-Integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung für industrielle Zwecke
Product Type: | Flash Memory IC |
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Data Retention: | 20 Years |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR Flash-Integrierter Stromkreis 2,7 V - 3,6 V Spannung - Versorgung mit zuverlässigem Speicher
Package / Case: | SOIC-8 |
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Data Retention: | 20 Years |
Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Effiziente integrierte Schaltung mit 20-jähriger Datenspeicherung - Min-Versorgungsspannung 2,7 V
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Mounting Type: | Surface Mount |
Versorgungsspannung - Min 2,7 V integrierte Schaltung für energieeffiziente Lösungen
Data Retention: | 20 Years |
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Packaging: | Reel |
Memory Capacity: | 4Mbit |
50μs Schreibzykluszeit-Chip mit Geschwindigkeit von 50ns
Produkt-Art: | Flash-Speicher IC |
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Geschwindigkeit: | 50ns |
Gedächtnisart: | NOCH grell |
4Mbit Speicherkapazität 20 Jahre Datenspeicherung 50ns Speed Chip
Befestigung der Art: | Oberflächenberg |
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Spannung - Versorgung: | 2,7 V | 3,6 V |
Versorgungs-Spannung - maximal: | 3,6 V |
50ns Geschwindigkeit 512K X 8 Speicherorganisation 2.7V-3.6V Spannungszufuhrchip
Verpacken: | Spule |
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Speicherkapazität: | 4Mbit |
Schreibzyklus-zeit- Wort: | 50µs |