ΚΙΝΑ Τροφοδοσίες Διάστημα τάσης 2.7 V - 3.6 V Ενσωματωμένο κύκλωμα με χωρητικότητα μνήμης 4Mbit

Τροφοδοσίες Διάστημα τάσης 2.7 V - 3.6 V Ενσωματωμένο κύκλωμα με χωρητικότητα μνήμης 4Mbit

Mounting Type: Surface Mount
Memory Type: NOR Flash
Speed: 50ns
ΚΙΝΑ Αποτελεσματική οργάνωση μνήμης 512K X 8 ολοκληρωμένο κύκλωμα με χρόνο κύκλου εγγραφής 50μs

Αποτελεσματική οργάνωση μνήμης 512K X 8 ολοκληρωμένο κύκλωμα με χρόνο κύκλου εγγραφής 50μs

Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
Packaging: Reel
ΚΙΝΑ 50μs Χρόνος κύκλου εγγραφής Ενσωματωμένο κύκλωμα 2.7V - 3.6V Τετάρτη - Τροφοδότηση

50μs Χρόνος κύκλου εγγραφής Ενσωματωμένο κύκλωμα 2.7V - 3.6V Τετάρτη - Τροφοδότηση

Product Type: Flash Memory IC
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Voltage - Supply: 2.7 V ~ 3.6 V
ΚΙΝΑ Αποτελεσματικό ολοκληρωμένο κύκλωμα SOIC-8 με 20ετή διατήρηση δεδομένων για βιομηχανικές ανάγκες

Αποτελεσματικό ολοκληρωμένο κύκλωμα SOIC-8 με 20ετή διατήρηση δεδομένων για βιομηχανικές ανάγκες

Product Type: Flash Memory IC
Data Retention: 20 Years
Supply Voltage - Max: 3.6 V
ΚΙΝΑ Ηλεκτρονικό κύκλωμα NOR Flash 2.7V - 3.6V τάση - τροφοδοσία αξιόπιστη μνήμη

Ηλεκτρονικό κύκλωμα NOR Flash 2.7V - 3.6V τάση - τροφοδοσία αξιόπιστη μνήμη

Package / Case: SOIC-8
Data Retention: 20 Years
Write Cycle Time - Page: 50µs
ΚΙΝΑ Αποτελεσματικό ολοκληρωμένο κύκλωμα με 20ετή διατήρηση δεδομένων - ελάχιστη τάση τροφοδοσίας 2,7V

Αποτελεσματικό ολοκληρωμένο κύκλωμα με 20ετή διατήρηση δεδομένων - ελάχιστη τάση τροφοδοσίας 2,7V

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Mounting Type: Surface Mount
ΚΙΝΑ Η τάση τροφοδοσίας - Min 2,7 V ολοκληρωμένο κύκλωμα για ενεργειακά αποδοτικές λύσεις

Η τάση τροφοδοσίας - Min 2,7 V ολοκληρωμένο κύκλωμα για ενεργειακά αποδοτικές λύσεις

Data Retention: 20 Years
Packaging: Reel
Memory Capacity: 4Mbit
VIDEO ΚΙΝΑ 50μs Γράψτε το Τσιπ Χρόνου Κύκλου με ταχύτητα 50ns

50μs Γράψτε το Τσιπ Χρόνου Κύκλου με ταχύτητα 50ns

Τύπος προϊόντων: Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης
Ταχύτητα: 50ns
Τύπος μνήμης: ΟΥΤΕ λάμψη
VIDEO ΚΙΝΑ 4Mbit χωρητικότητα μνήμης 20 χρόνια διατήρηση δεδομένων 50ns Chip ταχύτητας

4Mbit χωρητικότητα μνήμης 20 χρόνια διατήρηση δεδομένων 50ns Chip ταχύτητας

Τοποθετώντας τύπος: Η επιφάνεια τοποθετεί
Τάση - ανεφοδιασμός: 2.7 Β ~ 3,6 Β
Τάση ανεφοδιασμού - Max: 3.6 Β
VIDEO ΚΙΝΑ 50ns Ταχύτητα 512K X 8 Οργάνωση μνήμης 2.7V-3.6V Τσιπ τροφοδοσίας τάσης

50ns Ταχύτητα 512K X 8 Οργάνωση μνήμης 2.7V-3.6V Τσιπ τροφοδοσίας τάσης

Συσκευασία: Εξέλικτρο
Ικανότητα μνήμης: 4Mbit
Γράψτε το κύκλος ζωών - Word: 50μs
1 2 3 4 5