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Distanza di tensione di alimentazione 2,7 V - 3,6 V Circuito integrato con capacità di memoria di 4 Mbit
| Mounting Type: | Surface Mount |
|---|---|
| Memory Type: | NOR Flash |
| Speed: | 50ns |
Organizzazione efficiente della memoria 512K X 8 Circuito integrato con tempo di scrittura di 50μs
| Operating Temperature: | -40°C ~ 85°C |
|---|---|
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Packaging: | Reel |
50μs Tempo di scrittura del ciclo Circuito integrato 2.7V - 3.6V Voltaggio - Fornitura
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Voltage - Supply: | 2.7 V ~ 3.6 V |
Circuito integrato SOIC-8 efficiente con conservazione dei dati per 20 anni per esigenze industriali
| Product Type: | Flash Memory IC |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
NOR Flash circuito integrato 2.7V - 3.6V tensione - alimentazione memoria affidabile
| Package / Case: | SOIC-8 |
|---|---|
| Data Retention: | 20 Years |
| Write Cycle Time - Page: | 50µs |
Circuito integrato efficiente con conservazione dei dati di 20 anni - tensione minima di alimentazione 2,7 V
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Mounting Type: | Surface Mount |
Tensione di alimentazione - Min 2,7 V Circuito integrato per soluzioni ad alta efficienza energetica
| Data Retention: | 20 Years |
|---|---|
| Packaging: | Reel |
| Memory Capacity: | 4Mbit |
VIDEO
50μs Scrivere il chip di tempo di ciclo con velocità di 50ns
| Tipo di prodotto: | Memoria flash IC |
|---|---|
| Velocità: | 50ns |
| Tipo di memoria: | NÉ istantaneo |
VIDEO
Capacità di memoria 4Mbit 20 anni di conservazione dei dati 50ns Speed Chip
| Montaggio del tipo: | Supporto di superficie |
|---|---|
| Tensione - rifornimento: | 2,7 V ~ 3,6 V |
| Tensione di rifornimento - massima: | 3,6 V |
VIDEO
50ns Velocità 512K X 8 Memoria Organizzazione 2.7V-3.6V Chip di alimentazione di tensione
| Imballaggio: | Bobina |
|---|---|
| Capacità di memoria: | 4Mbit |
| Scriva a ciclo la parola del tempo: | 50µs |