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Blocs de circuit de la Manche IRF9540NPBF de P 100 V 23A (comité technique) 140W (comité technique) par le trou TO-220AB

  • P Channel IRF9540NPBF Circuit Chips 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • P Channel IRF9540NPBF Circuit Chips 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • P Channel IRF9540NPBF Circuit Chips 100 V 23A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lieu d'origine LES Etats-Unis
Nom de marque Infineon Technologies
Certification RoHS
Numéro de modèle IRF9540NPBF
Quantité de commande min 1000
Prix negotiate
Détails d'emballage TUBE
Délai de livraison 5-8 jours de travail
Conditions de paiement T/T
Capacité d'approvisionnement 2000

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Détails sur le produit
Nom de produit IRF9540NPBF Vgs(th) (Max) Id 4V 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) Vgs 97 nC 10 V Vg (Max) ±20V
Rds On (Max) Id, Vgs 117mOhms 11A, 10V Ensemble d'appareils du fournisseur TO-220AB
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La Manche IRF9540NPBF de P

,

IRF9540NPBF par le trou

,

Blocs de circuit 100 V TO-220AB
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Description de produit

P-canal 100 V 23A (comité technique) 140W (comité technique) d'IRF9540NPBF par le trou TO-220AB

La cinquième génération HEXFETS d'Intemational Rectifieutilize a avancé des techniques de traitement à la sur-résistance achieveextremely basse par secteur de silicium. Thisbenefit, combiné avec la conception andruggedized rapide de dispositif de vitesse de changement pour laquelle HEXFET PowerMOSFETS sont bien connus, fournit le designerwith un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usein au loin un vanety des applications.

Le paquet TO-220 est universellement préféré pour des applications allcommercialindustrial aux dissipationlevels de puissance à approximativement 50 watts. Le bas thermalresistance et le bas coût de paquet du TO-220contribute à son acceptation large dans tous theindustry.

 

Spécifications d'IRF9540NPBF

Mfr
Infineon Technologies
Série
HEXFET
Statut de produit
Actif
Type de FET
P-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
100 V
Actuel - drain continu (identification) 25°C
23A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Le RDS sur l'identification (maximum), Vgs
117mOhm 11A, 10V
Identification (maximum) de Vgs (Th)
4V 250µA
Charge de porte (Qg) Vgs (maximum)
97 OR 10 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) Vds (maximum)
1300 PF 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
140W (comité technique)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Par le trou
Paquet de dispositif de fournisseur
TO-220AB
Paquet/cas
TO-220-3

 

ORIGINAL

 

Notre société s'assure que chaque série de produits vient de l'usine originale, et peut fournir les labels originaux et les rapports professionnels d'agence d'essai.

 

PRIX

 

Nous fournissons un grand choix de canaux de citation, et signons le contrat d'ordre après négociation.

 

TRANSACTION

 

Après communication et accord, nous vous guiderons pour nous charger du paiement.

 

CYCLE DE LIVRAISON

 

La livraison le même jour, généralement 5-12 jours ouvrables, peut être légèrement retardée pendant l'épidémie, nous continuera le processus entier.

 

TRANSPORT

 

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EMBALLAGE

 

Après communication avec vous, nous choisirons la méthode de empaquetage appropriée selon le poids des marchandises pour assurer la livraison sûre des marchandises.

Étiquettes:

Puce de circuit intégré d'ISL6843IBZ-T

Puce 2MHz de circuit intégré

Positif d'ISL80103IRAJZ-TK réglable