Çin SOIC-8 Paketi/Kase ile Reel Packaging Entegre Döngü

SOIC-8 Paketi/Kase ile Reel Packaging Entegre Döngü

Memory Capacity: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Product Type: Flash Memory IC
Çin 20 yıllık veri saklama ile entegre devre için ambalaj rulo

20 yıllık veri saklama ile entegre devre için ambalaj rulo

Write Cycle Time - Page: 50µs
Product Type: Flash Memory IC
Packaging: Reel
Çin 2.7 V Güçlendirme Voltajı - Güvenilir Performans için Min Entegre Döngü

2.7 V Güçlendirme Voltajı - Güvenilir Performans için Min Entegre Döngü

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Çin NOR Flash Memory tipi bütünleşik devreler - En az 2,7 V güç kaynağı voltajı

NOR Flash Memory tipi bütünleşik devreler - En az 2,7 V güç kaynağı voltajı

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
Çin 50μS yazma döngüsü süresi ile Flash Memory IC Entegre Devre

50μS yazma döngüsü süresi ile Flash Memory IC Entegre Devre

Döngü Süresi Yazma - Word: 50μs
Besleme Gerilimi - Maks: 3,6 V
Hız: 50ns
Çin 20 yıllık veri saklama ile rulo ambalajlı entegre devre çipi

20 yıllık veri saklama ile rulo ambalajlı entegre devre çipi

Yazma Döngü Süresi - Sayfa: 50μs
Döngü Süresi Yazma - Word: 50μs
Hafıza kapasitesi: 4Mbit
Çin 4Mbit Flash Bellek IC 3.6V Besleme Voltajı Max

4Mbit Flash Bellek IC 3.6V Besleme Voltajı Max

Ambalajlama: makara
Yazma Döngü Süresi - Sayfa: 50μs
Bellek Türü: NOR flaş
Çin SOIC-8 512K X 8 50ns Entegre Devre

SOIC-8 512K X 8 50ns Entegre Devre

Hız: 50ns
Döngü Süresi Yazma - Word: 50μs
Veri saklama: 20 yıl
Çin 2.7V entegre devre bobini ambalajı

2.7V entegre devre bobini ambalajı

Bellek Türü: NOR flaş
Besleme Gerilimi - Maks: 3,6 V
ürün tipi: Flash Bellek Entegresi
Çin 512K X 8 Hafıza Örgütü ile birlikte mevcut olan rulo paketleme entegre devre

512K X 8 Hafıza Örgütü ile birlikte mevcut olan rulo paketleme entegre devre

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
1 2 3 4 5