الصين الحلبة المتكاملة للتعبئة والتحميل مع حزمة SOIC-8 / حالة في التنافسية

الحلبة المتكاملة للتعبئة والتحميل مع حزمة SOIC-8 / حالة في التنافسية

Memory Capacity: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Product Type: Flash Memory IC
الصين لفائف التعبئة للدوائر المتكاملة مع الاحتفاظ بالبيانات لمدة 20 عامًا

لفائف التعبئة للدوائر المتكاملة مع الاحتفاظ بالبيانات لمدة 20 عامًا

Write Cycle Time - Page: 50µs
Product Type: Flash Memory IC
Packaging: Reel
الصين 2.7 فولت جهد التغذية - الدوائر المتكاملة من أجل أداء موثوق به

2.7 فولت جهد التغذية - الدوائر المتكاملة من أجل أداء موثوق به

Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
الصين الدائرة المتكاملة من نوع ذاكرة فلاش NOR - حد أدنى لجهد التزويد 2.7 فولت

الدائرة المتكاملة من نوع ذاكرة فلاش NOR - حد أدنى لجهد التزويد 2.7 فولت

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Memory Capacity: 4Mbit
Write Cycle Time - Word: 50µs
الصين الدوائر المتكاملة ذاكرة فلاش IC مع وقت دورة الكتابة من 50μS

الدوائر المتكاملة ذاكرة فلاش IC مع وقت دورة الكتابة من 50μS

كتابة وقت الدورة - كلمة: 50 ثانية
امدادات التيار الكهربائي - ماكس: 3.6 فولت
السرعة: 50ns
الصين حزمة ريل رقاقة الدوائر المتكاملة مع الاحتفاظ بالبيانات لمدة 20 عاما

حزمة ريل رقاقة الدوائر المتكاملة مع الاحتفاظ بالبيانات لمدة 20 عاما

كتابة وقت الدورة - الصفحة: 50 ثانية
كتابة وقت الدورة - كلمة: 50 ثانية
سعة الذاكرة: 4 ميجابت
الصين 4Mbit ذاكرة فلاش IC 3.6V توفير الجهد القصوى

4Mbit ذاكرة فلاش IC 3.6V توفير الجهد القصوى

التعبئة والتغليف: بكرة
كتابة وقت الدورة - الصفحة: 50 ثانية
نوع الذاكرة: ولا فلاش
الصين دائرة متكاملة SOIC-8 512K X 8 50ns

دائرة متكاملة SOIC-8 512K X 8 50ns

سرعة: 50ns
كتابة وقت الدورة - كلمة: 50 ثانية
الاحتفاظ بالبيانات: 20 سنه
الصين 2.7 فولت حلقة متكاملة لفائف

2.7 فولت حلقة متكاملة لفائف

نوع الذاكرة: ولا فلاش
امدادات التيار الكهربائي - ماكس: 3.6 فولت
نوع المنتج: ذاكرة فلاش IC
الصين الحلبة المتكاملة المتوفرة مع 512K X 8 منظمة الذاكرة

الحلبة المتكاملة المتوفرة مع 512K X 8 منظمة الذاكرة

Supply Voltage - Max: 3.6 V
Supply Voltage - Min: 2.7 V
Data Retention: 20 Years
1 2 3 4 5