-
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ηλεκτρολυτικοί πυκνωτές αλουμινίου
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα αστραπιαίας σκέψης
-
Συνδετήρας ΕΜΒΥΘΙΣΗΣ
-
Αισθητήρας ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Ιδιαίτερος ημιαγωγός
-
Οπτικοηλεκτρονικά προϊόντα
-
Ολοκληρωμένα κυκλώματα παροχής ηλεκτρικού ρεύματος
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα προστασίας κυκλωμάτων
-
Αποθήκευση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων
-
Παθητικά τμήματα ολοκληρωμένου κυκλώματος
-
Ενότητα POL
-
Ολοκληρωμένο κύκλωμα κρυστάλλου
-
Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος ελεγκτών
CY62167EV30LL-45BVXI ασύγχρονο ολοκληρωμένο κύκλωμα 16Mbit μνήμης ολοκληρωμένου κυκλώματος ολοκληρωμένων κυκλωμάτων

Επικοινωνήστε μαζί μου για δωρεάν δείγματα και κουπόνια.
Whatsapp:0086 18588475571
Wechat: 0086 18588475571
Skype: sales10@aixton.com
Εάν έχετε οποιαδήποτε ανησυχία, παρέχουμε 24ωρη ηλεκτρονική βοήθεια.
xΠρότυπο | CY62167EV30LL-45BVXI | Τεχνολογία | SRAM - Ασύγχρονος |
---|---|---|---|
Μέγεθος μνήμης | 16Mbit | Τάση - ανεφοδιασμός | 2.2V ~ 3.6V |
Υψηλό φως | CY62167EV30LL-45BVXI ολοκληρωμένο κύκλωμα ολοκληρωμένων κυκλωμάτων,CY62167EV30LL-45BVXI ολοκληρωμένο κύκλωμα μνήμης,Ασύγχρονο ολοκληρωμένο κύκλωμα 16Mbit μνήμης |
CY62167EV30LL-45BVXI το ασύγχρονο ολοκληρωμένο κύκλωμα 16Mbit μνήμης παραλληλίζει 45 NS 48-VFBGA (6x8)
Το CY62167EV30 είναι ένα υψηλής απόδοσης στατικό RAM CMOS που οργανώνεται ως λέξεις 1M από 16 μπιτ ή λέξεις 2M από 8 μπιτ. Αυτή η συσκευή χαρακτηρίζει ένα προηγμένο σχέδιο κυκλωμάτων που παρέχει ένα υπερβολικά χαμηλό ενεργό ρεύμα. Το υπερβολικά χαμηλό ενεργό ρεύμα είναι ιδανικό για την παροχή περισσότερης διάρκειας ζωής μπαταρίας (MoBL®) στις φορητές εφαρμογές όπως τα κυψελοειδή τηλέφωνα. Η συσκευή έχει επίσης μια αυτόματη δύναμη κάτω από το χαρακτηριστικό γνώρισμα που μειώνει την κατανάλωση ισχύος από 99 τοις εκατό όταν δεν επιλέγουν οι διευθύνσεις. Τοποθετήστε τη συσκευή στον εφεδρικό τρόπο όταν ξεδιαλέγεται (CE1 ΥΨΗΛΌ ή CE2 ΧΑΜΗΛΌ ή και BHE και BLE είναι ΥΨΗΛΌ). Οι καρφίτσες εισαγωγής και παραγωγής (I/O0 μέσω I/O15) τοποθετούνται σε ένα κράτος υψηλός-σύνθετης αντίστασης όταν: η συσκευή ξεδιαλέγεται (CE1 ΥΨΗΛΌ ή CE2 ΧΑΜΗΛΌ), τα αποτελέσματα είναι εκτός λειτουργίας (OE ΥΨΗΛΌ), και η ψηφιολέξη υψηλή επιτρέπει και η ψηφιολέξη χαμηλή επιτρέπει είναι εκτός λειτουργίας (BHE, BLE ΥΨΗΛΆ), ή γράψτε ότι η λειτουργία είναι υπό εξέλιξη (CE1 ΧΑΜΗΛΌ, CE2 ΥΨΗΛΌ και ΕΜΕΊΣ ΧΑΜΗΛΟΊ).
Κατηγορία
|
Ολοκληρωμένα κυκλώματα (ολοκληρωμένα κυκλώματα)
Μνήμη
Μνήμη
|
Mfr
|
Τεχνολογίες Infineon
|
Σειρά
|
MoBL®
|
Θέση προϊόντων
|
Ενεργός
|
Τύπος μνήμης
|
Πτητικός
|
Σχήμα μνήμης
|
SRAM
|
Τεχνολογία
|
SRAM - Ασύγχρονος
|
Μέγεθος μνήμης
|
16Mbit
|
Οργάνωση μνήμης
|
2M X 8, 1M X 16
|
Διεπαφή μνήμης
|
Παράλληλος
|
Γράψτε το κύκλος ζωών - Word, σελίδα
|
45ns
|
Χρόνος πρόσβασης
|
45 NS
|
Τάση - ανεφοδιασμός
|
2.2V ~ 3.6V
|
Λειτουργούσα θερμοκρασία
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
Τοποθετώντας τύπος
|
Η επιφάνεια τοποθετεί
|
Συσκευασία/περίπτωση
|
48-VFBGA
|
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών
|
48-VFBGA (6x8)
|