Mémoire asynchrone IC 16Mbit d'IC de circuit intégré de CY62167EV30LL-45BVXI

Mémoire asynchrone IC 16Mbit 45 parallèles NS 48-VFBGA (6x8) de CY62167EV30LL-45BVXI

Le CY62167EV30 est un CMOS performant MÉMOIRE RAM statique organisée en tant que mots de 1M par 16 bits ou mots de 2M par 8 bits. Ce dispositif comporte une conception de circuit avancée qui fournit un courant actif très réduit. Le courant actif très réduit est idéal pour fournir plus de  de la vie de batterie (MoBL®) dans des applications portatives telles que les téléphones cellulaires. Le dispositif a également une puissance automatique en bas de la caractéristique qui réduit la puissance par 99 pour cent quand les adresses ne basculent pas. Placez le dispositif dans le mode veille une fois ne pas sélectionner (la HAUTE CE1 ou le BAS LES CE2 ou BHE et BLE sont HAUTS). Les goupilles d'entrée et sortie (I/O0 par I/O15) sont placées dans un état à grande impédance quand : le dispositif est ne pas sélectionner (HAUTE CE1 ou CE2 BAS), des sorties sont handicapé (HAUTE d'OE), de haut d'octet permettent et l'octet bas Enable sont handicapé (HAUTE de BHE, de BLE), ou a écrivent l'opération est en cours (le BAS CE1, HAUTE CE2 et NOUS BAS).

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