Wszystkie produkty
Osoba kontaktowa : Shen
Numer telefonu : +0086 15112667855
WhatsApp : +8615112667855

2N7002K-7 Kanał N 60 V 380 mA (Ta) 370 mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3

  • 2N7002K-7 N-Channel 60 V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Miejsce pochodzenia USA
Nazwa handlowa Diodes Incorporated
Orzecznictwo RoHS
Numer modelu 2N7002K-7
Minimalne zamówienie 3000
Cena negotiations
Szczegóły pakowania Szpula z taśmą (TR)
Czas dostawy 5-8 dni roboczych
Zasady płatności T/T
Możliwość Supply 3000

Skontaktuj się ze mną, aby uzyskać bezpłatne próbki i kupony.

WhatsApp:0086 18588475571

Wechat: 0086 18588475571

Skype'a: sales10@aixton.com

W razie jakichkolwiek wątpliwości zapewniamy całodobową pomoc online.

x
Szczegóły Produktu
Model 2N7002K-7 Napięcie od drenu do źródła (Vdss) 60 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C 380mA (Ta) Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.) 5V, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id 2,5 V przy 1 mA Opakowanie / Sprawa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Zostaw wiadomość
opis produktu

2N7002K-7 Kanał N 60 V 380 mA (Ta) 370 mW (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3

Opis i zastosowania

Ten MOSFET został zaprojektowany tak, aby zminimalizować rezystancję w stanie włączenia (RDS(ON)) przy zachowaniu doskonałej wydajności przełączania, dzięki czemu idealnie nadaje się do zastosowań związanych z zarządzaniem energią o wysokiej wydajności.

 Sterowanie silnikiem

 Funkcje zarządzania energią

 Podświetlenie

 

Cechy i zalety

 Niska rezystancja włączenia

 Niska pojemność wejściowa

 Szybka prędkość przełączania

 Niski wyciek wejścia/wyjścia

 Ochrona przed wyładowaniami elektrostatycznymi do 2kV

 

Dane mechaniczne

 Sprawa: SOT23

 Materiał obudowy: formowane tworzywo sztuczne, „zielona” masa do formowania.Klasyfikacja palności UL 94V-0

 Wrażliwość na wilgoć: poziom 1 według J-STD-020

 Terminale: Zakończ

 Matowa cyna wyżarzona na ołowianej ramie ze stopu 42.Możliwość lutowania zgodnie z MIL-STD-202, metoda 208

 Waga: 0,008 grama (w przybliżeniu)

 

specyfikacja 2N7002K-7

Kategoria
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze
Prod
Zawarte diody
Seria
-
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie od drenu do źródła (Vdss)
60 V
Prąd — ciągły drenaż (Id) @ 25°C
380mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. wł. wł., min wł. wł.)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2,5 V przy 1 mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
0,3 nC przy 4,5 V
Vgs (maks.)
±20 V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF przy 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
370 mW (Ta)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Opakowanie / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

ORYGINALNY

 

Nasza firma zapewnia, że ​​każda partia produktów pochodzi z oryginalnej fabryki i może dostarczyć oryginalne etykiety i profesjonalne raporty agencji testujących.

 

CENA £

 

Zapewniamy różnorodne kanały wyceny, a umowę zlecenia podpisujemy po negocjacjach.

 

TRANSAKCJA

 

Po komunikacji i uzgodnieniu poprowadzimy Cię do zorganizowania płatności.

 

CYKL DOSTAWY

 

Dostawa tego samego dnia, zwykle 5-12 dni roboczych, może być nieco opóźniona w czasie epidemii, będziemy śledzić cały proces.

 

TRANSPORT

 

Wybierzemy odpowiedni środek transportu w zależności od kraju.

 

OPAKOWANIA

 

Po komunikacji z Tobą wybierzemy odpowiednią metodę pakowania w zależności od wagi towaru, aby zapewnić bezpieczną dostawę towaru.

tagi:

Układ scalony ISL6843IBZ-T

układ scalony 2MHz

ISL80103IRAJZ-TK regulacja dodatnia