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DS1270AB-100フラッシュ・メモリIC NVSRAM 16mb抜け目がないICは100つNs 36-EDIPを平行にする
| 起源の場所 | 米国 |
|---|---|
| ブランド名 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
| 証明 | RoHS |
| モデル番号 | DS1270AB-100# |
| 最小注文数量 | 1 |
| 価格 | negotiations |
| パッケージの詳細 | チューブ |
| 受渡し時間 | 5-10 作業日 |
| 支払条件 | T/T |
| 供給の能力 | 100 |
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x商品の詳細
| モデル | DS1270AB-100# | メモリータイプ | 不揮発性 |
|---|---|---|---|
| 記憶容量 | 16Mb （2M x 8） | 電圧-供給 | 4.75V | 5.25V |
| プロダクト状態 | 活動的 | 実用温度 | -40°C | 85°C |
| タイプの取付け | 表面の台紙 | 適用 | 自動車 |
| ハイライト | DS1270AB-100フラッシュ・メモリIC,フラッシュ・メモリIC NVSRAM,NVSRAM 16mb抜け目がないIC |
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製品の説明
DS1270AB-100# NVSRAM （不揮発性SRAM）の記憶IC 16Mb平行100 Ns 36-EDIP
特徴
外部力がない時の最低データ保持5年の
データは電源切れの間に自動的に保護される
無制限は周期を書く
ローパワーCMOSの操作
の読書および70 nsのライト・アクセスの時間を
のリチウム エネルギー源は電気で力がはじめて適用されるまで新鮮さを保つために切られる
完全な±10%のVCC動作範囲（DS1270Y）
任意±5%のVCC動作範囲（DS1270AB）
の-40°Cへの+85°Cの任意産業温度較差は、INDを示した
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Mfr
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アナログ・デバイセズ株式会社/マキシム・インテグレーテッド・プロダクツ
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シリーズ
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-
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プロダクト状態
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活動的
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記憶タイプ
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不揮発性
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記憶フォーマット
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NVSRAM
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技術
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NVSRAM （不揮発性SRAM）
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記憶容量
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16Mb （2M x 8）
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記憶インターフェイス
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平行
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周期にタイムの単語、ページを書きなさい
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100ns
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アクセス時間
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100 ns
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電圧-供給
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4.75V | 5.25V
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実用温度
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0°C | 70°C （TA）
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タイプの取付け
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穴を通して
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パッケージ/場合
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36-DIPモジュール（0.610"、15.49mm）
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製造者装置パッケージ
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36-EDIP
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原物
私達の会社はプロダクトの各バッチが元の工場から来る保障し、ことを元のラベルおよび専門のテスト代理店のレポートを提供できる。
価格
私達はいろいろな引用語句チャネルを提供し、交渉の後で順序の契約に署名する。
トランザクション
コミュニケーションおよび一致の後で、私達は支払を整理するために導く。
納入サイクル
同日配達は、一般に5-12仕事日、伝染病の間に私達追う全プロセスをわずかに遅れるかもしれない。
輸送
私達はあなたの国に従って適切な交通機関モードを選ぶ。
包装
あなたとのコミュニケーションの後で、私達は商品の重量に従って商品の安全な配達を保障するために適切な包装方法を選ぶ。
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